Силиконскиот материјал е најосновниот и основниот материјал во полупроводничката индустрија.Комплексниот производствен процес на синџирот на индустријата за полупроводници треба да започне и од производството на основен силициумски материјал.
Монокристална силиконска соларна градинарска светлина
Монокристалниот силициум е форма на елементарен силициум.Кога стопениот елементарен силициум се зацврстува, атомите на силициумот се наредени во дијамантска решетка во многу кристални јадра.Ако овие кристални јадра прераснат во зрна со иста ориентација на кристалната рамнина, овие зрна ќе се комбинираат паралелно за да се кристализираат во монокристален силициум.
Монокристалниот силициум има физички својства на квазиметал и има слаба електрична спроводливост, која се зголемува со зголемување на температурата.Во исто време, монокристалниот силициум, исто така, има значителна полуелектрична спроводливост.Ултра-чистиот монокристален силициум е внатрешен полупроводник.Спроводливоста на ултра-чистиот монокристален силициум може да се подобри со додавање на елементи во трагови ⅢA (како што е бор), и може да се формира силиконски полупроводници од типот P.Како што се додавање на елементи во трагови ⅤA (како што се фосфор или арсен), исто така, може да го подобри степенот на спроводливост, формирање на N-тип на силициум полупроводници.
Полисилициумот е форма на елементарен силициум.Кога стопениот елементарен силициум се зацврстува под услов на суперладење, атомите на силициумот се распоредени во многу кристални јадра во форма на дијамантска решетка.Ако овие кристални јадра прераснат во зрна со различна кристална ориентација, овие зрна се комбинираат и кристализираат во полисилиум.Се разликува од монокристалниот силициум кој се користи во електрониката и соларните ќелии и од аморфниот силициум кој се користи во уредите со тенок филм исоларни ќелии градинарска светлина
Разликата и поврзаноста меѓу двете
Во монокристалниот силициум, структурата на кристалната рамка е униформа и може да се идентификува со униформниот надворешен изглед.Во монокристалниот силициум, кристалната решетка на целиот примерок е континуирана и нема граници на зрната.Големите единечни кристали се исклучително ретки по природа и тешко се прават во лабораторија (види рекристализација).Спротивно на тоа, позициите на атомите во аморфните структури се ограничени на подредување со краток дострел.
Поликристалните и субкристалните фази се состојат од голем број мали кристали или микрокристали.Полисилициумот е материјал составен од многу помали силиконски кристали.Поликристалните ќелии можат да препознаат текстура со видлив ефект на лим.Оценките на полупроводниците, вклучително и соларниот полисилициум, се претвораат во монокристален силициум, што значи дека случајно поврзаните кристали во полисилиумот се претвораат во голем единечен кристал.Монокристалниот силициум се користи за производство на повеќето микроелектронски уреди базирани на силикон.Полисилициумот може да постигне 99,9999% чистота.Ултра чистиот полисилициум се користи и во индустријата за полупроводници, како што се полисиликонските шипки долги 2 до 3 метри.Во индустријата за микроелектроника, полисиликонот има примена и во макро и во микро скали.Процесите на производство на монокристален силициум вклучуваат процес на Чекораски, топење во зона и Бриџман процес.
Разликата помеѓу полисилициумот и монокристалниот силициум главно се манифестира во физичките својства.Во однос на механичките и електричните својства, полисилициумот е инфериорен во однос на монокристалниот силициум.Полисилициумот може да се користи како суровина за цртање монокристален силициум.
1. Во однос на анизотропијата на механичките својства, оптичките својства и топлинските својства, тоа е многу помалку очигледно од монокристалниот силициум
2. Во однос на електричните својства, електричната спроводливост на поликристалниот силициум е многу помалку значајна од онаа на монокристалниот силициум, или дури речиси и да нема електрична спроводливост
3, во однос на хемиската активност, разликата помеѓу двете е многу мала, генерално користат полисилиум повеќе
Време на објавување: Мар-24-2023